| 篇名 | ||||
| 美國專利懲罰性賠償解析──以2016年聯邦最高法院Halo Electronics Inc. v. Pulse Electronics Inc.為中心 | ||||
| 作者 | ||||
| 呂柔慧 | ||||
| 關鍵字 | ||||
| 懲罰性賠償、三倍損害賠償、故意侵權、專利侵權、美國專利法 | ||||
| 摘要 | ||||
| 懲罰性賠償，意指於填補權利人損害外，由法院再行提高侵權人之損害賠償數額。於大陸法系國家，由於傳統認為有損害斯有賠償，對於英美法系懲罰性賠償之概念尚無法完全接受，因此，導致我國專利法懲罰性賠償於2011 年至2013 年間反覆立法，實務在操作上也尚未臻成熟階段。反觀美國專利法制，懲罰性賠償之發展已將近有兩個世紀之久，雖於法條上不同於我國明定以侵權人「故意」為適用前提，實務上仍發展出以侵權人「蓄意」（willful）為要件，美國聯邦最高法院並於2016 年做出Halo Electronics Inc. v. Pulse Electronics Inc. 案，推翻適用將近10 年的In re Seagate Technology, LLC 案之兩階段測試法，重新提出「蓄意」之認定標準。本文即以上開判決為中心，詳述美國專利懲罰性賠償之發展歷程，以及本案可能帶來之影響，最後，以美國法為借鏡，提出我國專利懲罰性賠償之設立有其正當性，但不應以填補損害為主要目的，實務對於相關酌定標準之運作仍有待未來持續發展；另外，我國廠商對於美國此項最新發展亦不能不注意，以避免遭法院認定為「蓄意」，而同負懲罰性賠償之連帶責任。 | ||||
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